共模瞬态抑制度测试CMTI
随着新的半导体器件(如 SiC 和 GaN)不断的发展,以及新的应用对更高的开关频率的需求(相比传统Mosfet和IGBT快2倍 dv/dt、5倍di/dt),高频的共模干扰无处不在。共模瞬态抗扰度,简称为CMTI,将成为半导体器件越发重要和关键的测试指标。其抗扰度通过用dv/dt衡量(单位:
kV/µs 或 V/ns),是表示该器件的隔离电路在制定的高压电压下,可承受的从零到达指定高压下最快dv/dt速率。
更高的CMTI指标,意味着隔离电路的两端可以承受更高的压摆率(更高的上升/下降斜率)的脉冲电压干扰,其CMT产生的主要原因:包括MOSFET、GaN等器件的非线性电容、PCB走线的电感、隔离电源的寄生耦合电容,数字示波器输入端的正交误差、 以及高压探头的等效输入电容。
灵枫源专为测试CMTI共模瞬态抗扰度研发的一款高压脉冲斜坡发生器,可实现+/- 2KV宽范围的斜率可调,为准确的评估各类半导体器件的隔离电路的瞬态抗扰度成为可能。