随着新的半导体器件（如 SiC 和 GaN）不断的发展，以及新的应用对更高的开关频率的需求（相比传统Mosfet和IGBT快2倍 dv/dt、5倍di/dt），高频的共模干扰无处不在。共模瞬态抗扰度，简称为CMTI，将成为半导体器件越发重要和关键的测试指标。其抗扰度通过用dv/dt衡量（单位：
kV/µs 或 V/ns），是表示该器件的隔离电路在制定的高压电压下，可承受的从零到达指定高压下最快dv/dt速率。

更高的CMTI指标，意味着隔离电路的两端可以承受更高的压摆率（更高的上升/下降斜率）的脉冲电压干扰，其CMT产生的主要原因：包括MOSFET、GaN等器件的非线性电容、PCB走线的电感、隔离电源的寄生耦合电容，数字示波器输入端的正交误差、 以及高压探头的等效输入电容。

灵枫源专为测试CMTI共模瞬态抗扰度研发的一款高压脉冲斜坡发生器，可实现+/- 2KV宽范围的斜率可调，为准确的评估各类半导体器件的隔离电路的瞬态抗扰度成为可能。